On-Chip Messungen

On-Chip Messungen in High-Speed-Systemumgebungen:

RF-Kontaktierung und Faserkopplung von Forschungsbauelementen für Systemtests

Um Forschungsbauelemente auf Chip-Level-Basis zu testen, bieten wir elektrische und optische Charakterisierungen von Fotodioden und kantenemittierenden sowie oberflächenemittierenden Laserdioden an. Durchgeführt werden hochfrequente Chip-Level RF-Kontaktierung und stabile Faserkopplung für Tests auf Systemebene.

Merkmale der Messtypen

DC Charakterisierung

  • L-I-V Kurven
  • Ableitung von Serienwiderständen
  • Optisches Spektrum
  • Temperaturverhalten (20 °C bis 200 °C)

RIN-und Jitter-Messungen

  • Relatives Intensitätsrauschen und Jitter abgeleitet vom elektrischen Spektrum

Kleinsignal-Messungen

einschließlich der S11- und S21-Parameter

  • Kleinsignal-Bandbreite
  • HF-Anpassung des Messobjekts
  • Resonanzverhalten intrinsischer Prozesse (Relaxationsfrequenz)

Großsignal-Messungen

  • Augendiagramme (Q-Faktor, Extinktionsverhältnis, Bitmuster-Effekte)
  • Messungen der Bit-Fehlerrate als Funktion des optischen Signal-zu-Rausch-Verhältnis oder der empfangenen Leistung bis zu 50 GBd und für verschiedene Modulationsformate
  • Übertragungsexperimente mit Singlemode- oder Multimode-Glasfaserverbindungen

Merkmale der Messstation

  • Elektrische DC- und HF-Messungen bis zu 50 GHz
  • Glasfaser-Ankopplung, optische Rückkopplung zur Stabilisierung, Präzision im Mikrometerbereich
  • Temperaturgeregelt (20 ° C bis 90 ° C)
  • Mikroskopische Bilder von Chip-Oberflächen