Die Abteilung InP und HF entwickelt leistungsfähige optoelektronische Bauelemente und integrierte Schaltungen auf Basis von Indiumphosphid (InP) für Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Sie vereint Materialtechnologie, Bauelemententwicklung und Schaltungsdesign zu einer durchgängigen Plattform für photonische und elektronische Integration, die durch Thin-Film-Lithium-Niobate-(TFLN-)Technologien gezielt erweitert wird.
Im Zentrum stehen InP-basierte Laser, Modulatoren und Detektoren sowie deren Integration in photonisch integrierte Schaltungen (PICs). Ergänzend werden TFLN-basierte Modulatoren und PIC-Konzepte entwickelt, die besonders hohe Bandbreiten und effiziente elektrooptische Funktionalitäten ermöglichen. Abgerundet wird das Portfolio durch Hochfrequenz-Design und IC-Entwicklung für anspruchsvolle Übertragungs- und Empfangssysteme.
Die abteilungsinterne Photonic InP Foundry ermöglicht die Realisierung kundenspezifischer Designs – von der Konzeption über das Chipdesign bis hin zur Prototypen- und Kleinserienfertigung.
Durch die enge Verzahnung von Bauelementphysik, HF-Schaltungsentwicklung und integrierter Photonik auf InP- und TFLN-Basis entstehen leistungsfähige Lösungen für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung, kohärente Kommunikationssysteme, optische Signalverarbeitung sowie präzise Detektionsanwendungen.
Forschungsgruppen
Die Forschungsgruppen beschäftigen sich insbesondere mit den InP Lasern, InP Modulatoren, InP Detektoren und dem IC Design.
Projekte
Die laufenden Forschungen in der PIR-Abteilung finden im Rahmen zahlreicher Projekte statt, die von öffentlichen Fördereinrichtungen auf europäischer oder nationaler Ebene finanziert werden.
Publikationen
Beiträge in Fachzeitschriften, Tagungsberichte, Vorträge und Tutorien, Standardisierungsbeiträge und Bücher. Erfahren Sie mehr über die Publikationen unserer Wissenschaftler.
Personen und Kontakt
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